인텔은 2006년 1월 25일 세계 최초로 45nm 공정의 SRAM을 개발하고 시험 생산에 성공했다고 공식적으로 발표했다. 이번 45nm 공정 칩의 시험 생산 성공으로 인텔은 2년마다 새로운 공정의 칩셋을 내놓는 관행을 계속 이어가게 되었다.

이번에 발표된 인텔의 45nm 공정 SRAM은 153Mbit SRAM으로 다이당 1억개가 넘는 트랜지스터를 내장한 세계 최고밀도의 칩셋이다. 공정이 세밀화되면 각 노드간 간격이 세밀해지고 발열이 줄어들어 고밀도의 트랜지스터 집적이 가능하다.

인텔 기술개발부 부사장인 Bill Holt는 "65nm 공정을 처음으로 소개한데 이어 45nm 공정의 칩셋 역시 처음으로 소개한 것은 인텔의 앞선 선도적 기술력을 보여주는 증거라 할 수 있다. 앞으로 인텔의 45nm 공정 칩셋들은 와트당 성능을 최고로 끌어올려 사용자들에게 최고의 만족감을 선사할 것이다."라고 소감을 밝혔다.

45nm 공정 기술은 현재 프로세서가 사용하는 대기 전력 소비량을 약 5배 가량 줄일 수 있고 칩셋 크기 자체가 작아져, 크기나 전력소비량에 민감한 모바일 기기에 차세대 칩셋으로 각광받을 것으로 기대되고 있다.

그러나 65nm 공정의 첫 제품이 올해 나왔기 때문에 45nm 공정이 적용된 칩셋이 당장 시장에 나타나는 것은 아니며, 2007년이 넘어야 시장에 서서히 제품에 적용될 것이다