삼성전자가 1GB DDR2 SDRAM 모듈에 대해 80nm 공정을 정식 도입하면서 생산량 증가에 박차를 가할 채비에 있다.

80nm 공정 도입으로 삼성전자는 11x11.5mm라는 세계 최소의 DRAM 패킹이 가능해졌다. 기존 90nm 공정에서의 패킹 크기는 11x18mm로, 80nm 공정의 것이 36%가 작다. 이로 인해 90nm 512MB 모듈 크기 또는 기존 1GB DRAM의 절반 크기로 생산이 가능해, 여타 90nm 공정으로 생산하는 업체들에게 부담으로 작용할 것으로 보인다.

시장 조사 기관인 가트너는 전세계 DRAM 모듈 시장의 수요가 지속적으로 증가하고 있어 올해 메모리 모듈 교역향이 287억달러에 이를 것이라고 내다보았다. 2008년에는 교역량 규모가 378억 달러대가 될 것으로 예측하였는데, 그 중 1GB DRAM의 수요는 현재의 8%에서 36% 정도로 오를 것으로 예상되어 삼성전자의 80nm 공정 도입은 현명한 선택으로 평가되고 있다.

삼성전자는 80nm 공정이 적용된 첫 DDR2 메모리는 512MB용 모듈이 될 것이며, 점진적으로 모든 메모리로 확산 적용할 계획이라 하였다