램리서치가 ALTUS 제품 군의 최신 버전으로서 불소 함량이 낮은 텅스텐 필름 증착을 위한 원자층증착 공정을 선보였다.

최신 ALTUS Max E 시리즈 는 업계 최초 저 불소 텅스텐 원자층증착 공정으로서 메모리 칩 메이커들의 핵심 과제를 해결할 수 있을 뿐만 아니라, 3D NAND와 DRAM 디바이스의 지속적인 확장을 가능하게 한다.

이 새로운 시스템은 메모리 애플리케이션 시장을 이끌고 있는 램리서치의 제품 포트폴리오를 기반으로 글로벌 시장을 견인하고 있다. 뿐만 아니라 선도적인 3D NAND와 DRAM 제조업체에서 높은 생산 포지셔닝을 가지고, 다수의 R&D 현장에서 사용되고 있다.

제조업체들이 3D NAND의 메모리 셀 층 개수를 증가시킴에 따라, 워드라인 주입 애플리케이션 내 텅스텐 증착에 두 가지 문제가 드러났다.

우선, 텅스텐 필름 막에서 유전체로의 불소 확산이 물리적 결함을 야기할 수 있다는 것이다.

또한, 48쌍보다 많은 디바이스에서 누적된 높은 스트레스는 과도한 전력의 휘어짐을 초래할 수 있다.

이러한 결함과 스트레스는 수율 손실뿐만 아니라, 전기적 성능 및 디바이스의 신뢰성을 떨어트릴 수 있다.

그렇기 때문에 고급 3D NAND 디바이스에 사용되는 텅스텐 필름은 불소 및 고유의 스트레스를 최소화해야 한다.

더욱이 임계치수가 줄어듦에 따라 매복된 워드라인의 DRAM과 로직 디바이스 내의 메탈 게이트∙메탈 컨택트에 대한 저항을 줄이는 것이 어려워졌다.