ST¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º°¡ ½º¿þµ§ÀÇ SiC ¿þÀÌÆÛ Á¦Á¶¾÷üÀÎ ³ë½ºÅÚ ABÀÇ ÀμöÀÛ¾÷À» ¿Ï·áÇß´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù.
ST´Â 2019³â 2¿ù ¹ßÇ¥ÇÑ Ãʱâ ÁöºÐÀμö¿¡ ÀÌ¾î ³ª¸ÓÁö 45% ÁöºÐ¿¡ ´ëÇÑ Àμö ¿É¼ÇÀ» Çà»çÇß´Ù.
³ë½ºÅÚ Àμö¿¡ ¾à 1¾ï3,750¸¸ ´Þ·¯°¡ ¼Ò¿äµÇ¾úÀ¸¸ç, Àμö ÀÚ±ÝÀº °¡¿ë Çö±ÝÀ¸·Î Áö±ÞµÇ¾ú´Ù.
ST ȸÀå °â CEOÀÎ Àå ¸¶Å© ½¦¸®´Â “Àü ¼¼°èÀûÀ¸·Î ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå »ý»ê·®ÀÌ Á¦¾àÀ» °Þ´Â »óȲ¿¡¼ ³ë½ºÅÚ Àμö ÀÛ¾÷À» ¿Ï·áÇØ STÀÇ SiC ¿¡ÄڽýºÅÛÀ» °ÈÇÏ°Ô µÇ¾ú´Ù. À̸¦ ÅëÇØ ST´Â À¯¿¬¼º Çâ»ó°ú ´õºÒ¾î ¿þÀÌÆÛ ¼öÀ²°ú Ç°Áú °³¼±À» º¸´Ù È¿°úÀûÀ¸·Î Á¦¾îÇÏ°í, Àå±âÀûÀÎ ½Ç¸®ÄÜ Ä«¹ÙÀÌµå ·Îµå¸Ê°ú ºñÁî´Ï½º¸¦ Áö¿øÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô µÇ¾ú´Ù”°í ¸»ÇÏ°í, “À̹ø Àμö´Â ´Ù¸¥ Çù·Â¾÷üµé°ú ü°áÇÑ ¿þÀÌÆÛ °ø±Þ °è¾à¿¡ Ãß°¡µÇ¸ç, ÇâÈÄ ¼ö³â °£ Áõ°¡ÇÒ ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷ °í°´ ÇÁ·Î±×·¥À» À§ÇØ MOSFET ¹× ´ÙÀÌ¿Àµå »ý»ê¿¡ ÇÊ¿äÇÑ µî±ÞÀÇ ¿þÀÌÆÛ¸¦ ¾ÈÁ¤ÀûÀ¸·Î È®º¸ÇÏ´Â µ¥ ±â¿©ÇÏ°Ô µÈ´Ù”°í ¹àÇû´Ù. |