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온세미컨덕터가 두 개의 실리콘 카바이드 MOSFET 제품군을 출시하며, 와이드밴드갭 디바이스의 범위를 확장했다.
해당 제품은 태양광 발전 인버터, 전기 자동차를 위한 온-보드 충전, 무정전 서버 전원 공급장치, 서버 공급 장치, EV 충전소 등을 포함한 다양하고, 요구조건이 까다로운 고성장 애플리케이션을 위해 고안됐으며, 실리콘 MOSFET으로는 불가능했던 수준의 성능을 제공한다.
온세미컨덕터의 새로운 1200V 및 900V N-채널 SiC MOSFET은 Si와 비교했을 때, 스위칭 성능을 높이고 신뢰성을 개선했다.
역회복 전하가 작은 고속의 내장 다이오드는 전력 손실을 크게 줄이고 동작 주파수를 높이며 전체 솔루션의 전력 밀도를 높였다.
칩 크기가 작을수록 소자 커패시턴스가 낮아지고 게이트 전하-Qg가 작아져 고주파수 동작이 더욱 향상되어 고주파수에서 동작 할 때 스위칭 손실이 줄어든다. 이러한 개선으로 효율성이 향상되며, Si기반 MOSFET과 비교했을 때 EMI를 감소시키며, 더 적고 작은 패시브 구성품을 사용할 수 있게 한다.
매우 견고한 SiC MOSFET은 Si 디바이스와 비교했을 때 서지 능력이 향상되고, 아발란치 성능과 쇼트 서킷 견고성이 개선되며 까다로운 최신 전력 애플리케이션에 필수적인 높은 신뢰성과 더욱 긴 수명을 제공한다.
낮은 순방향 전압은 임계갑이 없는 온상태 특성을 제공해 디바이스가 전도 중일 때 발생하는 정적 손실을 줄인다.
1200V 디바이스의 정격 최대 전류는 130A이며, 900V 디바이스는 최대 118A이다.
더 높은 전류를 필요로 하는 애플리케이션의 경우, 양의 온도 계수 및 독립성으로 인해 온세미컨덕터 MOSFET은 쉽게 병렬로 동작 시킬 수 있다.
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