ST마이크로일렉트로닉스가 실리콘 카바이드 MOSFET 제어에 최적화된 단일 채널 게이트 드라이버인 STGAP2SiCSN을 출시했다.

이 드라이버는 얇은 SO-8 패키지로 공간을 절약하고, 정확한 PWM 제어로 강력한 성능을 제공한다.

전력변환 효율을 높이기 위해 SiC 기술이 널리 채택됨에 따라, STGAP2SiCSN이 설계를 간소화하고, 공간을 절감하며, 에너지 중심의 전력 시스템과 드라이버 및 제어 기능의 견고성과 신뢰성을 향상시키고 있다.

이 디바이스는 전기자동차 충전시스템, SMPS, 고전압 PFC, DC/DC 컨버터, UPS, 태양광 발전, 모터 드라이브, 팬, 공장 자동화, 가전제품, 유도 가열 등 다양한 애플리케이션에 적용이 가능하다.

STGAP2SiCSN은 게이트 구동 채널과 저전압 제어 사이에 갈바닉 절연을 제공하면서, 고전압 레일에서 최대 1,700V까지 동작할 수 있다.

75ns 미만의 입력 대 출력 전파 시간은 높은 PWM 정확도를 보장하며, ±100V/ns의 CMTI를 통해 안정적인 스위칭이 가능하다.

내장된 보호 기능에는 UVLO가 있으며, 이와 함께 SiC 전원 스위치가 저효율이나 불안전한 조건에서 동작하지 않도록 하는 임계값 조정 기능, 과도한 접합 온도가 감지되면 드라이버 출력 모두를 낮게 조정하는 열 셧다운 기능이 있다.

두 가지 구성 옵션도 제공되는데, 외부 저항을 사용해 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 최적화하도록 별도의 출력을 선택하거나 액티브 밀러 클램프 기능을 갖춘 단일 출력을 선택할 수 있다.

단일 출력 구성은 밀러 클램프를 활용해 전원 스위치의 과도한 진동을 방지함으로써 고주파 하드 스위칭 애플리케이션의 안정성을 향상시킨다.