ST마이크로일렉트로닉스가 IGBT 및 실리콘 카바이드 MOSFET을 위한 새로운 듀얼 채널 갈바닉 절연 게이트 드라이버 2종을 출시해, 고전압 전력변환 및 산업용 애플리케이션의 공간 절감과 간편한 회로 설계를 지원한다.

IGBT를 위한 STGAP2HD와 SiC MOSFET을 위한 STGAP2SICD는 ST의 최신 갈바닉 절연 기술을 활용해 SO-36W 와이드 바디 패키지로 6kV의 과도전압을 제공한다.

또한, ±100V/ns dv/dt에 이르는 과도 내성을 통해 전기적 노이즈가 많이 발생하는 동작 조건에서 스퓨리어스 턴온을 방지한다.

이 디바이스는 최대 4A의 강력한 게이트 제어 신호를 제공할 수 있으며, 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 조정하게 해주는 듀얼 출력핀을 통해 게이트 구동을 위한 유연성을 추가로 지원한다.

능동 밀러 클램프로는 하프-브리지 토폴로지의 빠른 정류 시 게이트 스파이크를 방지한다.

회로 보호 기능에는 열 보호와 안전한 동작을 위한 워치독, 위험한 저효율 모드에서 시동을 방지하는 채널당 UVLO 기능이 있다.

STGAP2SICD는 SiC MOSFET 요건에 최적화된 더 높은 UVLO 임계 전압을 지원한다.

각 디바이스는 듀얼 로우-사이드 및 비대칭 하프-브리지 애플리케이션에서 두 채널을 동시에 턴온하도록 iLOCK 핀을 제공한다. 또한, 기존 하프-브리지 회로의 슛스루 전류를 방지해주는 인터로킹도 갖추고 있다.

두 드라이버 모두 고전압 레일에서 정격전압이 최대 1,200V에 이르며, 높은 PWM 정확도로 75ns의 입력-출력 전파시간을 제공한다.