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NXP, 히타치 에너지와 SiC 파워 모듈 개발 협력하기로
장민영 기자  |  technoa@technoa.co.kr
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승인 2022.03.22  17:33:12
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NXP 반도체는 전기차 분야에서 탄화규소 파워 반도체 모듈의 채택을 가속화하기 위해 히타치 에너지와 협력한다고 발표했다.

이 프로젝트는 NXP의 고급 고성능 GD3160 절연 HV 게이트 드라이버와 히타치 에너지의 로드팩 자동차 SiC MOSFET 파워 모듈로 구성된 파워트레인 인버터를 위한 보다 효율적이고 안정적이며 기능적으로 안전한 SiC MOSFET 기반 솔루션을 제공하는 것을 목표로 한다.

히타치 에너지의 고성능 자동차 파워 반도체 모듈 로드팩은 우수한 방열, 저유도 인덕턴스, 장기적인 내구성을 제공해 까다로운 자동차 환경에 견딜 수 있도록 지원하며, SiC MOSFET의 모든 기능과 장점을 활용할 수 있는 핵심 요소이다.

최적의 성능을 위해 파워 모듈은 NXP의 GD3160 고전압 절연 게이트 드라이버와 페어링되어 빠르고 안정적인 스위칭과 오류 보호를 지원한다.

NXP의 드라이버 및 에너지 시스템 제품 라인 총괄 책임자이자 부사장 로버트 리는 “히타치 에너지와의 협력을 통해 전기차를 위한 SiC MOSFET의 효율성과 범위의 이점을 강조할 수 있게 됐다. GD3160을 히타치 에너지의 로드팩 SiC 모듈과 결합함으로써 트랙션 인버터에 사용되는 SiC MOSFET의 평가에서 성능 최적화까지의 전환 시간을 단축하는 솔루션을 제공했다"고 말했다.


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