NXP ¹ÝµµÃ¼´Â Àü±âÂ÷ ºÐ¾ß¿¡¼ ÅºÈ±Ô¼Ò ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâÀÇ Ã¤ÅÃÀ» °¡¼ÓÈÇϱâ À§ÇØ È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö¿Í Çù·ÂÇÑ´Ù°í ¹ßÇ¥Çß´Ù.
ÀÌ ÇÁ·ÎÁ§Æ®´Â NXPÀÇ °í±Þ °í¼º´É GD3160 Àý¿¬ HV °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ ·ÎµåÆÑ ÀÚµ¿Â÷ SiC MOSFET ÆÄ¿ö ¸ðµâ·Î ±¸¼ºµÈ ÆÄ¿öÆ®·¹ÀÎ ÀιöÅ͸¦ À§ÇÑ º¸´Ù È¿À²ÀûÀÌ°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÌ¸ç ±â´ÉÀûÀ¸·Î ¾ÈÀüÇÑ SiC MOSFET ±â¹Ý ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇÏ´Â °ÍÀ» ¸ñÇ¥·Î ÇÑ´Ù.
È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ °í¼º´É ÀÚµ¿Â÷ ÆÄ¿ö ¹ÝµµÃ¼ ¸ðµâ ·ÎµåÆÑÀº ¿ì¼öÇÑ ¹æ¿, ÀúÀ¯µµ ÀδöÅϽº, Àå±âÀûÀÎ ³»±¸¼ºÀ» Á¦°øÇØ ±î´Ù·Î¿î ÀÚµ¿Â÷ ȯ°æ¿¡ °ßµô ¼ö ÀÖµµ·Ï Áö¿øÇϸç, SiC MOSFETÀÇ ¸ðµç ±â´É°ú ÀåÁ¡À» È°¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÇÙ½É ¿ä¼ÒÀÌ´Ù.
ÃÖÀûÀÇ ¼º´ÉÀ» À§ÇØ ÆÄ¿ö ¸ðµâÀº NXPÀÇ GD3160 °íÀü¾Ð Àý¿¬ °ÔÀÌÆ® µå¶óÀ̹ö¿Í Æä¾î¸µµÇ¾î ºü¸£°í ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ½ºÀ§Äª°ú ¿À·ù º¸È£¸¦ Áö¿øÇÑ´Ù.
NXPÀÇ µå¶óÀ̹ö ¹× ¿¡³ÊÁö ½Ã½ºÅÛ Á¦Ç° ¶óÀÎ ÃÑ°ý Ã¥ÀÓÀÚÀÌÀÚ ºÎ»çÀå ·Î¹öÆ® ¸®´Â “È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁö¿ÍÀÇ Çù·ÂÀ» ÅëÇØ Àü±âÂ÷¸¦ À§ÇÑ SiC MOSFETÀÇ È¿À²¼º°ú ¹üÀ§ÀÇ ÀÌÁ¡À» °Á¶ÇÒ ¼ö ÀÖ°Ô µÆ´Ù. GD3160À» È÷Ÿġ ¿¡³ÊÁöÀÇ ·ÎµåÆÑ SiC ¸ðµâ°ú °áÇÕÇÔÀ¸·Î½á Æ®·¢¼Ç ÀιöÅÍ¿¡ »ç¿ëµÇ´Â SiC MOSFETÀÇ Æò°¡¿¡¼ ¼º´É ÃÖÀûȱîÁöÀÇ Àüȯ ½Ã°£À» ´ÜÃàÇÏ´Â ¼Ö·ç¼ÇÀ» Á¦°øÇß´Ù"°í ¸»Çß´Ù. |