ST마이크로일렉트로닉스와 통신, 산업, 방위 및 데이터센터 산업 분야의 선도적인 반도체 공급업체인 메이콤 테크놀로지 솔루션스 홀딩스가 RF GaN-on-Si 프로토타입 생산에 성공했다고 밝혔다. 이러한 성과를 기반으로 ST와 메이콤은 지속적으로 협력하면서 파트너십을 강화할 방침이다.

RF GaN-on-Si는 5G 및 6G 인프라 성장에 상당한 잠재력을 가지고 있다. 현존하는 가장 오래된 RF 전력 기술인 LDMOS는 초기 세대 RF 전력 증폭기 제품을 이끌어왔다.

GaN은 이러한 RF 전력 증폭기의 LDMOS보다 탁월한 RF 특성과 훨씬 더 높은 출력을 제공하고, 실리콘 또는 실리콘 카바이드 웨이퍼에서 제조할 수 있다.

RF GaN-on-SiC는 고전력 애플리케이션에서 SiC 웨이퍼에 대한 경쟁 심화와 비주류 반도체 공정으로 인해 비용 부담이 증가할 수 있다.

반면, ST와 메이콤이 개발 중인 GaN-on-Si 기술은 표준 반도체 공정 플로우에 통합이 가능해지면서 보다 효과적인 규모의 경제와 경쟁력 있는 성능을 함께 제공할 것으로 예상된다.