ST마이크로일렉트로닉스가 온저항 및 스위칭 손실을 모두 줄이고 바디 다이오드 속성을 최적화한 40V MOSFET STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG를 출시했다.

이 제품은 전력변환, 모터제어, 전력분배 회로에서 에너지를 절감하고 낮은 노이즈 성능을 보장해준다.

새로운 40V N-채널 인핸스먼트-모드 MOSFET은 최신 세대 STPOWER STripFET F8 산화물 충전 트렌치 기술을 활용해 뛰어난 성능지수를 달성했다.

STL320N4LF8 및 STL325N4LF8AG는 10V의 게이트-소스 전압에서 각각 0.8mOhm 및 0.75mOhm의 최대 온저항을 제공한다.

이 MOSFET은 다이 영역당 매우 효율적인 Rds을 통해 공간 절감이 가능하고 열효율이 뛰어난 PowerFLAT 5x6 패키지로 구현됐다.

ST의 첨단 STripFET F8 기술은 게이트-드레인 전하 등의 동적 파라미터를 최소화하는 낮은 디바이스 커패시턴스로 탁월한 스위칭 속도를 보장하면서 시스템 효율성을 높여준다.

설계자는 600kHz ~ 1MHz 범위에서 스위칭 주파수를 선택할 수 있기 때문에 더 작은 커패시턴스 및 자기 부품을 사용해 회로 크기를 줄이고, 부품원가를 절감하는 것은 물론, 최종 애플리케이션의 전력밀도를 높일 수 있다.