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인피니언, 25V~150V OptiMOS 소스-다운 전력 MOSFET 출시
이경석 기자  |  it@technoa.co.kr
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승인 2023.01.18  19:15:46
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인피니언 테크놀로지스는 3.3mm x 3.3mm PQFN 패키지로 제공되는 25V~150V의 새로운 OptiMOS 소스-다운 전력 MOSFET을 출시한다고 밝혔다.

하단면 냉각 및 양면 냉각 구성의 새로운 제품군은 높은 성능의 DC-DC 전력 변환을 위한 매력적인 솔루션을 제공하여, 서버, 텔레콤, OR-ing, 배터리 보호, 전동 공구, 충전기 등의 애플리케이션에서 시스템 혁신을 가능하게 한다.

이들 제품은 인피니언의 최신 MOSFET 기술과 첨단 패키징을 결합하여 시스템 성능을 한 차원 끌어올린다.

소스-다운 개념을 적용해서 MOSFET 다이 소스 단자를 패키지 풋프린트로 향하도록 뒤집어서 PCB로 솔더링한다. 뿐만 아니라 드레인 단자를 위한 클립 디자인을 향상시키고 시장을 선도하는 칩-대-패키지 면적 비율을 자랑한다.

시스템 폼팩터가 계속해서 축소되면서 전력 손실을 낮추고 열 관리를 최적화하는 것이 중요하게 되었다.

PQFN 3.3mm x 3.3mm 드레인-다운 디바이스 대비 이들 새로운 제품은 온 저항을 최대 25퍼센트까지 향상시킨다.

인피니언의 OptiMOS 소스-다운 PQFN 양면 냉각 제품은 향상된 열 인터페이스를 제공하여 스위치의 전력 손실을 방열판으로 전달한다.

양면 냉각 제품은 가장 직접적인 경로로 전력 스위치를 방열판에 연결하므로 하단면 냉각 소스-다운 제품 대비 전력 소모 능력을 3배까지 높인다.

뿐만 아니라 두 가지 풋프린트 버전을 제공하므로 PCB 배선을 위한 유연성을 높인다.

표준 게이트 제품은 기존 드레인-다운 디자인을 쉽고 빠르게 변경할 수 있다. 센터 게이트 제품은 디바이스들을 병렬로 연결해서 드라이버-대-게이트 연결을 되도록 짧게 할 수 있다.

최대 298A에 이르는 높은 연속 전류를 제공하는 OptiMOS 소스-다운 PQFN 3.3mm x 3.3mm 25V~150V 제품을 사용해서 최대의 시스템 성능을 달성할 수 있다.


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