외형 및 컴포넌트 분석

이 제품의 외형은 다음과 같다.

위쪽이 앞면, 아래쪽이 뒷면

일단 얼핏 보기에는 다른 제품들과 다를바가 없어보인다. 크루셜사의 Registered DDR SDRAM과 비교해보자.(이쪽은 256MB 용량의 모듈이다.)

크루셜사의 256MB Registered ECC DDR SDRAM
위쪽이 앞면, 아래쪽이 뒷면

그런데, 삼성 1GB 모듈에는 다른 제품과는 상당히 틀린 큰 특징이 있으니, 바로 스택(stack)이라는 점이다. 스택에 대해서도 역시 레지스터드 메모리 강좌에서 언급한 바 있으므로 우선 해당 강좌를 참조하자.(관련강좌 : ECC 메모리와 레지스터드 메모리 - 레지스터드 메모리의 구성과 용도)

스택

메모리가 2층으로 배열되어있다.

메모리가 스택되어 있는 모습을 발견할 수 있다. 스택을 통해서 메모리 칩을 두배로 얹을 수 있게 되는데, 그 결과 이 제품에는 메모리 칩이 한쪽 면에 18개씩, 총 36개가 탑재된다. 일반적인 1.7" 높이의 레지스터드 ECC 메모리가 18개의 메모리 칩을 탑재하는 것에 비해서 2배에 달한다. 즉, 메모리 모듈의 용량을 두배로 늘릴 수 있다는 것인데, 이러한 장점이 있는 반면, 36개의 칩을 사용함으로 인해서 호환성의 문제가 발생한다. 이 문제는 뒷 페이지에서 다시 언급될 것이다.

스택된 부분을 보다 자세히 살펴보자.

위아래에 있는 메모리 칩이 서로 이어져 있다. 이렇게 메모리를 2층으로 쌓음으로써 두께는 약간 더 두꺼워졌지만, 메모리 장착에는 별 지장이 없다. 메모리 모듈 허용 두께 내에 있기 때문이다.

컴포넌트 구성

레이블에 적힌 파트넘버를 통해서 이 제품의 특징을 확인할 수 있다. 자세한 것은 삼성전자 홈페이지를 참조하자.(관련자료 링크)

레지스터 및 SPD 역시 다른 제품들과 별다를 바가 없다.

앞서의 사진에서 알 수 있듯이, 이 제품에는 K4H560438C-TCB0 칩이 총 36개 사용되었다. 삼성전자의 파트넘버 해독표를 참조하여 이를 풀어보면 다음과 같다.

DDR SDRAM(H), 256Mbit(56), x4 구성(04), 4뱅크(3), SSTL-2 인터페이스 및 2.5V 동작(8), 4세대(C), TSOP2-400 패키지(T), 일반적인 온도 및 소비전력(C), 7.5ns@CL2.5(B0)

필요한 부분만 간단히 추려보면, 7.5ns에 CAS Latency 2, 동작전압 2.5V로 동작하며 용량은 256Mbit인 DDR SDRAM이다. 용량을 계산해 보면, 36개의 칩이 장착되었는데, 이 중 1/9은 ECC용으로 사용되므로 1/9을 제외한 32개의 칩의 용량으로 계산해야 한다. 그래서 256Mbit × 32 = 8,192Mbit = 1,024MB라는 용량이 되는 것이다.

256Mbit 용량의 칩을 사용한 것은 512Mbit 칩을 인식하지 못하는 칩셋들이 아직 있기 때문이다. 512Mbit 칩을 사용했을 경우 스택을 사용하지 않고도 1GB의 구성이 가능하며, 스택까지 되었을 경우는 2GB의 모듈 구성이 가능하다.(얼마전 삼성에서 HP에 2GB의 모듈을 공급한다는 뉴스가 있었는데, 그 때에는 512Mbit 칩을 양면으로 스택하여 만들어진 36칩 2GB의 모듈이 사용된다.)

구형 메인보드의 칩셋들의 경우 256Mbit까지만 인식하는 경우가 종종 있으며, 이러한 보드에서 512Mbit 칩을 사용한 모듈을 꽂을 경우 용량이 절반으로만 인식되는 문제가 발생한다. 이 제품은 그러한 메인보드들에서도 1GB의 용량을 사용할 수 있도록 만들어진 것이다.