현대전자, FeRAM 제품화 성공
3분기부터 상용 샘플 공급키로

 
  현대전자(대표:박종섭)는 차세대 메모리 반도체로 떠오르고 있는 FeRAM(Ferroelectric RAM, 강유전체 반도체)의 제품화에 성공했다.

  Fe램은 DRAM의 정보저장 기능 및 SRAM의 빠른 정보처리 속도 그리고 Flash Memory의 정보 보존 능력을 결합한 비휘발성 메모리 반도체로 기존의 Flash Memory나 EEPROM에 비해 동작 전압이 낮고 정보 기록 속도가 1000배 이상 빠른 차세대 미래형 메모리 반도체다. 현대전자는 이번에 64K FeRAM과 256K FeRAM의 제품화에 성공했으며 곧바로 상품화할 수 있는 수준의 제품 특성과 신뢰성을 확보했다고 밝혔다.

  현대전자는 이 제품을 오는 3/4분기중 세계 주요 관련 업체에 제공해 제품 특성을 검증받은 후 이동전화, 개인용 정보단말기(PDA), 스마트폰, 스마트카드 등에 사용되는 FeRAM 시장을 본격 공략할 방침이다. 또 차세대 고집적 제품인 메가급 제품의 개발도 앞당겨 초기 FeRAM 시장을 선점한다는 계획이다.

  현대전자가 이번에 개발한 FeRAM은 반도체의 특성을 결정하는 강유전체 재료로 SBT(스트론튬 비스무스 탄탈레이트)를 사용하여 제품의 신뢰성을 높였으며 설계 측면에서는 메모리 셀의 동작을 위해 사용되는 `내부 승압 회로"를 사용하지 않는 등 기존 기술과 차별화되는 메모리 셀 구동방식을 채용함으로써 전력 소모를 크게 줄였다. 이에 따라 64K FeRAM의 경우 2V의 저전압에서 사용이 가능하며 256K FeRAM의 경우 기준 전압을 안정시켜 3V~5V의 넓은 범위의 전압에서 사용할 수 있다.

  현대전자가 이번에 개발에 성공한 FeRAM은 저전압 및 저전력 동작을 실현함으로써 휴대용 기기의 대체 메모리로 활용하는데 적합한 제품특성을 확보했으며, 기존 DRAM 공정과 호환성이 있는 공정에서 생산이 가능하기 때문에 저비용으로 고성능 제품을 양산할 수 있을 것으로 예측된다.

  세계 FeRAM 시장은 2002년 약 12억 달러 규모의 시장을 형성할 것으로 전망되고 있다.

<채경옥 기자>

출처 : 매일 경제 신문