세계 최대의 메모리 제조업체인 삼성전자는 ISSCC (International solid-State Circuits Conference)에서, 일전에 최초로 출시된 GDDR4 메모리보다 약 40% 빠른 속도로 동작하는 새로운 고속 GDDR4 메모리를 발표했다.

기존에 512MB를 구성하는 삼성전자의 GDDR4 메모리는 80nm 공정에서 제조되며 1.4V ~ 2.1V의 전압을 사용하는 제품들이다.이번에 발표한 새로운 고속 GDDR4 메모리는 2.0V에서 4GHz로 동작하는 제품으로 기존의 GDDR4 메모리가 1.9V에서 동작했던 것에 비하면 약간 높아진 것이다.

4GHz의 GDDR4 메모리가 현재 대부분의 그래픽 카드가 취하고 있는 256비트 메모리 버스에 적용될 경우 16GB/s의 데이터 대역폭을 제공한다. 피크치의 경우 약 128GB/s에 이르러 GDDR4 메모리를 처음 채용한 ATI 레이디언 X1950XTX 대역폭의 두 배에 달한다. 만약 차세대 그래픽 카드들이 512비트 메모리 버스를 사용한다고 가정하더라도 피크치는 약 256GB/s이 된다. 이는 현재 최고의 성능을 보이는 지포스 8800GTX의 메모리 대역인 86.4GB/s의 세 배에 해당한다.

원래 업계에서는 2007년 GDDR4 메모리로 2.8GHz, 2008년 GDDR5 메모리로 3.5GHz를 그리고 2009년에 4GHz의 속도가 달성될 것으로 예상했지만 이번 삼성전자의 새로운 GDDR4 메모리로 그런 예상은 완전히 뒤집어졌다. 삼성전자는 약 1년전 이미 3.2GHz의 속도를 내는 GDDR4 메모리를 개발했기 때문이다.

삼성전자가 이에대해 새로운 GDDR4 메모리를 곧바로 출시할지에 대해 언급하지는 않았지만 아마도 새로운 GDDR4 메모리는 올해 말이나 2008년 초에 등장하게 될 것으로 업계는 예상하고 있다.