플래시 메모리 전문 기업 스팬션(대표 : 버트란 캠보우)은 300mm 웨이퍼에서 45nm 공정기술의 소노스(SONOS) 구조의 셀을 가진 차세대 대용량 미러비트 메모리 기술을 발표했다.

미러비트 기술이 적용된 플래시 메모리는 현재까지 20억 달러 이상의 제품을 공급했으며 스팬션 자체의 전체 노어 플래시 메모리 생산량의 약70%를 차지하고 있을 정도로 검증된 기술이다.

지금까지의 플로팅 게이트 방식의 메모리는 산화막(Oxide)에 데이터를 저장하지만, 소노스 방식에서는 부도체인 질화막(Nitride)에 데이터를 저장하게 되어 저장된 데이터의 안정성이 더욱 높아지고, 셀 사이즈를 더욱 축소할 수 있는 차세대 기술로 인식되고 있다.

스팬션의 연구개발 담당 수석부사장인 루 파릴로 박사는 "스팬션은 Charge Trapping Storage 기술의 대량 생산에 성공한 유일한 플래시 메모리 기업"이라며 "스팬션 고유의 혁신적인 미러비트 기술과, 300mm 웨이퍼 생산능력 확보를 통해 제품 로드맵을 더욱 확장할 수 있게 되었으며, 미러비트 기술 발전에 더욱 박차를 가할 수 있게 되었다"라고 밝혔다.

문의 : 스펜션 www.spansion.com