TSMC의 55nm EmbFlash 기반 프로그래머블 디바이스는 차량 및 산업용을 포함한 다양한 시장의 다양한 저전력 대량 애플리케이션을 겨냥하고 있다.

이전 세대의 임베디드 플래시 대비 TSMC의 55 nm EmbFlash는 보다 높은 속도의 컴퓨팅 성능을 제공하고 게이트 밀도를 10배 증가시키며 플래시 및 SRAM 셀 크기를 각각 70%, 80% 줄여준다.

TSMC의 55 nm EmbFlash 기반 알테라 프로그래머블 디바이스를 통해 대량 애플리케이션 개발자들은 기능이 풍부한 비휘발성 시스템을 구축할 수 있다.

알테라의 공정 기술 개발 담당 부사장인 레다 라조우크는 “TSMC와 알테라의 협력 관계는 최신 기술과 성능을 고객들에게 제공하고자 하는 공동의 목표에 기반하고 있다.”면서  “55nm EmbFlash를 알테라의 제품 포트폴리오에 추가함으로써 공정 기술, 아키텍처, 애플리케이션별 IP 등에 기반한 디바이스 제품군들을 시스템 요구사항을 충족시킬 수 있도록 최적화하고 있는 알테라의 맞춤 전략이 확대될 것이다.”라고 말했다. TSMC의 글로벌 영업 및 마케팅 담당 선임부사장인 제이슨 첸은 “55nm EmbFlash 등과 같은 기술에 대한 TSMC의 지속적인 투자는 알테라와 같은 고개들의 사업기회를 확대시킨다.”면서 우리의 사업과 기술 목표를 일치시킴으로써 알테라는 고객 제품의 경쟁력을 한층 강화시킬 수 있다.”고 말했다.