ÀÎÇǴϾð Å×Å©³î·ÎÁö½º´Â Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡¼ 12³â ¿¬¼Ó ¼¼°è 1À§ ½ÃÀå ÁöÀ§¸¦ °í¼öÇÏ¿´´Ù.
¿ÃÇØ ÃÊ ÀÎÅͳ»¼Å³Î ·ºÆ¼ÆÄÀ̾î Àμö ÈÄ ÀÎÇǴϾðÀº 19.2ÆÛ¼¾Æ®ÀÇ ½ÃÀå Á¡À¯À²À» ±â·ÏÇØ ½ÃÀåÀÇ ¼±µµÀû ÀÔÁö¸¦ ´õ¿í °È ÇÏ¿´´Ù.
½ÃÀå Á¶»ç ±â°üÀÎ IHSÀÇ 2014³âµµ Á¶»ç¿¡ µû¸£¸é 2013³â µÎ ȸ»çÀÇ ½ÃÀå Á¡À¯À²Àº ¾ç»ç ÇÕÃÄ ¾à 17.5 ÆÛ¼¾Æ®¿´´Ù. ÀÎÇǴϾðÀÇ µÚ¸¦ ÀÌÀº 2À§ °æÀï»ç´Â 7.0 ÆÛ¼¾Æ®ÀÇ Á¡À¯À²À» ±â·ÏÇß´Ù.
¿¡³ÊÁö¸¦ Àý¾àÇÏ´Â Àü·Â ¹ÝµµÃ¼´Â °¡Á¤¿ë ÀüÀÚ ·¹ÀÎÁö¿¡¼ºÎÅÍ ´ëÇü dz·Â¹ßÀü ÅÍºó¿¡ À̸£±â±îÁö ±¤¹üÀ§ÇÏ°Ô ÀÌ¿ëµÇ¸ç, Àü·Â ¹ÝµµÃ¼´Â È¿À²ÀûÀÎ ¹ßÀü, ¼ÛÀü ¹× Àü·Â º¯È¯¿¡ È°¿ëµÈ´Ù. IHS¿¡ µû¸£¸é Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀå ±Ô¸ð´Â 2014³â¿¡¼ 6.3ÆÛ¼¾Æ® ¼ºÀåÇÑ 162¾ï ´Þ·¯¿¡ À̸¥´Ù.
ÀÎÇǴϾð Å×Å©³î·ÎÁö½ºÀÇ CEOÀÎ ¶óÀÎÇϵå Ç÷νº ¹Ú»ç´Â "À¯±âÀû ¼ºÀå°ú IRÀÇ Àμö·Î ÀÎÇǴϾðÀº ±Û·Î¹ú °æÀï¿¡¼ Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ßÀÇ ¼±µµÀû ÀÔÁö¸¦ ´õ¿í °ÈÇØ ³ª°¡°í ÀÖ´Ù. ÀÎÇǴϾðÀÇ ¼±µµÀûÀÎ Àü¹® ±â¼ú°ú ½Ã½ºÅÛ¿¡ ´ëÇÑ ÀÌÇØ´Â ¿¹ÃøµÈ ¼ºÀåÀ¸·ÎºÎÅÍ Å¹¿ùÇÑ ¼º°ú¸¦ °ÅµÑ ¼ö ÀÖ´Ù´Â °ÍÀ» ÀǹÌÇÑ´Ù.”°í ¸»Çß´Ù. IHS´Â Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ½ÃÀåÀÌ 2019³â±îÁö ƯÈ÷ ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷ ºñÁî´Ï½º ºÐ¾ß¿¡¼ ±× ¼ö¿ä°¡ Áõ°¡ÇÒ °ÍÀ¸·Î Àü¸ÁÇß´Ù.
IGBT ¸ðµâ, µð½ºÅ©¸®Æ® IGBT ¹× MOSFET ½ÃÀå¿¡¼ ÀÎÇǴϾðÀº À¯ÀÏÇÏ°Ô ½ÃÀå Á¡À¯À²À» È®´ëÇÏ¿´´Ù. 2014³âµµ Á¶»ç ±â°£¿¡ ÀÎÇǴϾðÀÇ MOSFET ½ÃÀå Á¡À¯À²Àº 26.4ÆÛ¼¾Æ®¿¡¼ 27.8ÆÛ¼¾Æ®·Î Áõ°¡ÇÑ ¹Ý¸é, 2À§ °æÀï»ç´Â 10.5ÆÛ¼¾Æ® Á¡À¯À²À» Â÷ÁöÇÏ¿´´Ù.
ÀÎÇǴϾðÀÇ µð½ºÅ©¸®Æ® IGBT ½ÃÀå Á¡À¯À²Àº 34.7ÆÛ¼¾Æ®¿¡¼ 38.5ÆÛ¼¾Æ®·Î Áõ°¡ÇßÁö¸¸, 2À§ °æÀï»ç´Â 14.1ÆÛ¼¾Æ® ½ÃÀå Á¡À¯À²À» ±â·ÏÇß´Ù.
IGBT ¸ðµâ ºÎºÐ¿¡¼ ÀÎÇǴϾðÀº 2À§ ¾÷üÀÌÁö¸¸ ½ÃÀå Á¡À¯À²À» 21.4ÆÛ¼¾Æ®¿¡¼ 23.2ÆÛ¼¾Æ®·Î ²ø¾î¿Ã·Á 1À§¿ÍÀÇ °ÝÂ÷¸¦ ¾à 3ÆÛ¼¾Æ® Æ÷ÀÎÆ® ÀÌÇÏ·Î Á¼Çû´Ù. |