NXP 반도체는 5G 네트워크를 위한 질화갈륨 및 Si-LDMOS 기술 포트폴리오를 확장했다.

이 제품들은 소형 풋프린트에서 업계 최고 성능을 제공해 차세대 5G 셀룰러 네트워크 구현에 적합하다.

5G 연결을 가능케 하는 요소에는 스펙트럼 확장, 고차 변조, 캐리어 어그리게이션, 전 차원 빔 형성 등이 있다.

해당 요소들은 향상된 모바일 광대역 연결을 지원하기 위해 확장된 기술 기반을 필요로 한다.

스펙트럼 사용 및 네트워크 풋프린트와 더불어, 4개의 송신 안테나에서 64TX 이상에 이르는 다중 입력, 다중 출력 기술이 사용된다.

5G 네트워크의 미래는 GaN 및 Si-LDMOS 기술에 달려 있으며, NXP는RF 파워 증폭기 개발의 최전선에 서 있다.

폴 하트 NXP RF 파워 사업부 수석 부사장 겸 총괄은 “NXP는 1992년 최초의 LDMOS 제품을 출시한 이래 지난 25년간 LDMOS 분야에서 선도적 입지를 구축해 왔다. NXP의 GaN 기술은 셀룰러 애플리케이션을 위한 최고 수준의 선형 효율로 개발되었다.  이 업계 선도적 GaN 기술을 통해 NXP는 LDMOS분야의 입지를 확장해 나가고 있다. NXP는 최고의 공급망과 글로벌 애플리케이션 지원, 탁월한 설계 전문성을 기반으로, 5G 솔루션의 선도적 RF 파트너로 자리매김할 것”이라고 말했다.