ST마이크로일렉트로닉스가 프랑스 원자력청 산하 전자정보기술연구소 레티와 파워 스위칭 디바이스용 GaN-on-Silicon 기술의 상용화를 위해 협력한다고 발표했다.

이 파워 GaN-on-Si 기술을 통해 ST는 하이브리드 및 전기 자동차를 위한 온-보드 충전기, 무선 충전, 서버를 비롯해 고효율, 고전력 애플리케이션을 지원할 수 있게 된다.

이번 양사의 협업은 200mm 웨이퍼 상에서 첨단 GaN-on-Si 다이오드와 트랜지스터 구조를 개발하고 검증하는 데 중점을 둔다.

시장조사업체 IHS 마킷은 이 시장이 2019년부터 2024년까지 CAGR이 20%를 넘을 것으로 예상하고 있다.

ST는 레티와 함께 IRT 나노일렉의 프레임워크 내에서 레티의 200mm R&D 라인을 이용해 공정 기술을 개발하고, 2019년에 엔지니어링 샘플을 검증할 계획이다.

이와 동시에 ST는 2020년 프랑스 투르에 위치한 전공정 웨이퍼 팹에서 초도 생산을 진행할 수 있도록 GaN/Si 헤테로 에피택시 공정을 포함한 완전한 제조라인을 구축할 예정이다.

또한, 파워 애플리케이션에서 GaN-on-Si 기술이 지닌 잠재력을 감안해 레티와 ST는 고전력-밀도 의 파워 모듈 조립시 디바이스 패키징을 개선해주는 첨단 기법들을 연구하고 있다.