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ST마이크로일렉트로닉스, 최신 고속 기술로 향상된 성능 제공하는 650V 고주파 IGBT 출시
장민영 기자  |  technoa@technoa.co.kr
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승인 2019.05.02  14:04:09
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ST마이크로일렉트로닉스가 ST의 최신 TFS 기술을 활용해 PFC 컨버터, 용접기, 무정전 전원 공급장치, 태양광 인버터 등의 중고속 애플리케이션에서 효율성과 성능을 향상시키는 650V IGBT 시리즈 HB2를 출시했다.

이 시리즈 제품에는 AEC-Q101 Rev. D 인증을 충족시키는 자동차 등급 디바이스도 포함되어 있다.

STPOWER 포트폴리오에 새롭게 추가된 HB2 시리즈는 포화전압이 1.55V로 낮기 때문에 전도 성능이 뛰어나다.

이와 함께 낮은 게이트 전류에서 신속한 스위칭을 지원하는 게이트 차지가 감소되어 동적 특성이 한층 강화되었다.

열 성능도 탁월하여 안정성과 전원 밀도를 극대화하게 해주는 등, 시장에서 매우 경쟁력 있는 신제품이 됐다.

HB2 시리즈의 IGBT들은 전정격 또는 반정격 다이오드나 우발적인 역 바이어스 방지를 위한 보호 다이오드 중에서 선택할 수 있기 때문에 특정 애플리케이션에 맞게 동작을 최적화할 수 있다.


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