실리콘랩스는 게이트 드라이버를 파워 트랜지스터에 보다 가깝게 배치함으로써 컴팩트한 PCB 설계를 구현할 수 있도록 보다 빠르고 안전한 스위칭, 낮은 지연과 높은 내성 특성을 조합한 새로운 Si823Hx/825xx 절연형 게이트 드라이버를 출시한다고 밝혔다.

이들 게이트 드라이버 제품에서 이루어진 혁신 덕분에, 전력 변환기 설계자는 SiC, GaN, 고속 Si FET 같은 신기술들을 활용할 수 있게 됐을 뿐 아니라, 더욱 강화된 에너지 효율 기준 및 크기 제한을 충족하거나 능가하는 제품을 설계할 수 있게 됐다.

실리콘랩스의 브라이언 미르킨 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “자동차, 산업 및 재생에너지 분야의 전력 변환기 설계자들은 새로운 에너지 효율 기준과 신기술 옵션을 통해 역동적인 환경을 관리하고 있으며, 이와 함께 안전성과 전력 양쪽 모두에 대한 계속되는 요구 사항들을 충족하고 있다”며, “실리콘랩스의 새로운 절연형 게이트 드라이버는 더욱 확장된 입력 전압 범위, 더 낮은 지연, 우수한 잡음 내성, 더욱 빠른 스위칭 성능 등 업계의 전력 엔지니어들이 필요로 하는 뛰어난 성능들을 제공하며 업계 요구사항을 뛰어 넘는다”고 말했다.