실리콘랩스는 자사의 절연형 게이트 드라이버 제품군에 새롭게 Si828x 버전 2를 추가한다고 발표했다. 이로써 실리콘랩스는 보다 효과적으로 SiC FET 게이트를 효과적으로 구동하는 절연형 게이트 드라이버 제품군을 통해 더 높은 전력 밀도와 보다 발열이 적은 작동, 그리고 줄어든 스위칭 손실을 요구하는 하프-브리지 및 풀-브리지 인버터와 전원공급장치 시장에 대응할 수 있게 됐다.

실리콘랩스의 브라이언 미르킨 부사장 겸 전력 제품 총괄 매니저는 “Si828x 제품군은 하이브리드/전기자동차와 산업용 애플리케이션에 이상적인 다양한 이점들을 제공한다”며, “자동차 충전기 및 트랙션 인버터 설계 시 전력 스위칭 용도로 SiC FET를 사용하는 고객은 Si828x 특유의 견고한 게이트 드라이브, 강력한 불포화 오류 응답, 그리고 효율을 높이는 밀러 클램프 조합을 통해 상당한 이점을 얻을 수 있다"고 말했다.

실리콘랩스의 게이트 드라이버는 SiC 솔루션의 선도적 공급회사인 울프스피드와의 협력을 통해 울프스피드의 SiC MOSFET과 함께 테스트를 마쳤다.