인피니언 테크놀로지스는 자사의 CoolSiC 포트폴리오에 고전압 솔루션을 추가하여 차세대 태양광, EV 충전, 에너지 저장 시스템을 지원한다고 밝혔다.

확장된 CoolSiC 포트폴리오는 최대 1500VDC 애플리케이션을 위한 2kV 실리콘 카바이드 MOSFET과 2kV SiC 다이오드를 제공한다.

새로운 SiC MOSFET은 단일 디바이스에 낮은 스위칭 손실과 높은 블로킹 전압을 결합하여 1500VDC 시스템의 요구를 최적으로 충족한다.

새로운 2kV CoolSiC 기술은 낮은 드레인-소스 온 저항을 특징으로 한다. 견고한 바디 다이오드는 하드 스위칭에 적합하다.

이 기술은 충분한 과전압 마진을 확보하도록 하며, 우주방사선으로 인한 FIT가 1700V SiC MOSFET에 비해서 10배 더 우수하다. 확장된 게이트 전압 동작 범위는 디바이스의 사용 편의성을 높인다.

새로운 SiC MOSFET 칩은 M1H라고 하는 인피니언의 첨단 SiC MOSFET 기술을 기반으로 한다. 최신 기술은 훨씬 더 넓은 게이트 전압 범위를 가능하게 하여 주어진 칩 크기에서 온 저항을 향상시킨다.

더 넓은 게이트 전압 범위는 게이트 상에서 드라이버 및 레이아웃 관련 전압 피크에 대한 견고성을 높이고 높은 스위칭 주파수에서도 무리 없이 동작하도록 한다.

인피니언은 2kV SiC MOSFET을 지원하기 위해서 최대 2.3kV의 기능적 절연을 제공하는 EiceDRIVER 게이트 드라이버를 제공한다.