ST마이크로일렉트로닉스가 극히 낮은 게이트-드레인 전하와 온저항을 통합해 이전 세대 동급 디바이스 대비 성능지수가 40% 향상된 N-채널 100V 전력 MOSFET인 STL120N10F8를 출시했다.

이 새로운 MOSFET은 ST의 첨단 STPOWER STripFET F8 기술을 활용하며, 이 기술은 스위칭 성능의 효율성을 높이기 위해 낮은 게이트 전하와 함께 매우 낮은 전도 손실을 제공하는 산화물 충전 트렌치를 도입했다. 이로써 STL120N10F8은 최대 4.6mΩ의 RDS(on)(VGS = 10V에서)으로 최대 600kHz 스위칭 주파수에서 효율적으로 동작한다.

또한, STripFET F8 기술은 드레인-소스 전압 스파이크를 완화하고, 낭비되는 충방전 에너지를 최소화하도록 출력 커패시턴스 값을 보장한다. 이와 함께 MOSFET 바디-드레인-다이오드 특성도 더욱 완화됐다.

이러한 개선의 결과로 전자파 방출을 줄이고, 해당 제품 표준에 적합한 EMC 성능을 입증하는 최종 시스템의 적합성 테스트가 간편해졌다.