ST마이크로일렉트로닉스가 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드 PowerGaN HEMT 디바이스를 대량생산한다.

STPOWER GaN 트랜지스터는 전원 콘센트, 충전기, 조명 시스템, 산업용 전원공급장치, 재생 에너지 애플리케이션과 자동차 전기화 등의 애플리케이션에서 향상된 성능을 제공한다.

이 제품군의 첫 번째 두 제품인 SGT120R65AL 및 SGT65R65AL은 PowerFLAT 5x6 HV 표면실장 패키지 기반의 650V 노멀-오프 특성을 가진 산업용 품질 등급의 G-HEMT이다.

이 디바이스들은 각각 15A 및 25A의 정격 전류와 25°C에서 75mΩ 및 49mΩ의 평균 온저항(RDS(on))을 제공한다.

3nC 및 5.4nC의 총 게이트 전하와 낮은 기생 커패시턴스로 턴온 및 턴오프 시 에너지 손실도 최소화한다.

켈빈 소스 연결을 통해서는 게이트 구동을 최적화해준다.

2종의 새로운 GaN 트랜지스터는 전원공급장치와 어댑터의 크기 및 무게를 줄여주면서도 더 높은 효율성, 더 낮은 동작온도를 제공하고 수명을 연장해준다.