외부에서 추가 전압을 끌어오는 게일 메모리

자사 메모리 모듈의 오버클러킹 수용성을 끌어올리기 위한 최대의 난관은 메모리 슬롯에서 공급되는 전력 부족이란 점은 더 이상 비밀이 아니다. 각각의 메모리 제조사들은 이 문제를 해결하기 위해 다양한 방법을 사용한다. OCZ는 메모리 모듈에 공급되는 전력을 추가하기 위한 특별한 장비를 추가하였고, 다른 메모리 제조사의 경우는 아수스와 같은 메인보드 제조사와 협력하여 메모리 전원 공급 회로 개선을 추진하기도 하였다.

게일은 이보다 한 발 더 나아가 메모리에 최고 3.0V의 전압을 인가할 수 있는 전원 커넥터를 추가하였다. 메모리 모듈이 이런 환경에서 얼마나 긴 시간 수명을 유지할 수 있을지는 미지수이지만, 높은 추가 전압이 오버클러킹 수용성을 최대한도로 끌어낼 수 있다는 점은 분명하다.

현재 메모리용 외부 전압 레귤레이터는 아직 구상 단계이며, 게일은 제품의 기술 특징에 대해 상세한 언급은 하지 않았다. 하지만 얼마 전까지 가장 진보한 메모리 오버클러킹 아이디어로 여겨졌던 OCZ의 DDR 부스터를 넘어선 방식이 선보였다는 점은 꽤 흥미로운 기사거리이다