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승인 2006.10.09  15:21:00
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각 메모리 구입에 가장 중요한 것이 바로 호환성 문제일 것이다. 호환성 테스트에 사용되는 각 메인보드에 각 제조사의 메모리를 DDR2 533MHz로 설정 후 테스트, Quake4, Super PI 32M, 3DMark 06을 테스트해 보았다.

테스트에 참가한 메모리 6종과 메인보드 5종에 대한 테스트는 모두다 통과 하였다. DDR 800MHz 제품이 일부 제품들과 호환성 문제가 있는 것과 달리 DDR 4200 제품들은 호환성 문제가 전혀 일어나지 않았다.

제품별 호환성 테스트.
제조사

삼성

하이닉스

디지웍스

Chaintech

PNY

TwinMOS

945-S3

OK

OK

OK

OK

OK

OK

NEO-3F

OK

OK

OK

OK

OK

OK

P5B deluxe

OK

OK

OK

OK

OK

OK

ab9-pro

OK

OK

OK

OK

OK

OK

965p-ds3

OK

OK

OK

OK

OK

OK

각 제품별 오버클럭 테스트의 경우는 DDR 667Mhz로 설정 하였을 때 각 제품이 정상적으로 동작하는지에 초점을 맞추었다. 각 제품을 DDR 667Mhz로 설정해  테스트에 통과하지 못하였다면, 메모리 전압을 최대 2.0V 까지 올려보고 재 테스트 해 보았으며, 2.0V 에서도 통과하지 못한 제품들은 테스트를 통과한 최대클럭을 알아 보았다.

1.8V 667MHz 동작여부
제품

삼성

하이닉스

디지웍스

Chaintech

PNY

TwinMOS

용량

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

동작클럭

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533
(실266MHz)

레이턴시

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

667(333) 셋팅

불가(1.8V)

통과(1.8V)

불가(1.8V)

불가(1.8V)

불가(1.8V)

통과(1.8V)

최대클럭

560(280)

667(333)

640(320)

640(320)

540(270)

667(333)

첫번째 기본 전압 테스트에서 통과한 제품은 하이닉스 DDR2 4200 512MB 제품과 TwinMOS DDR2 4200 512MB 제품이 유일 했다. 기본 전압에서 통과하지 못한 제품들은 다시 전압을 올려 테스트 했으며 결과는 아래와 같다.

667Mhz 설정 시 통과 전압
제품

삼성

하이닉스

디지웍스

Chaintech

PNY

TwinMOS

용량

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

동작클럭

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실266MHz)

레이턴시

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

667(333) 셋팅

불가(2.0V)

통과(1.8V)

통과(1.85V)

통과(1.9V)

불가(2.0V)

통과(1.8V)

메모리 전압을 0.5V 단위로 올려보면서 각 메모리를 DDR2 667Mhz로 설정해 통과한 제품은 Chaintech(1.9V), 디지웍스(1.85V) 였다. 삼성 DDR2 4200 제품과 PNY DDR2 4200은 메모리 전압을 2.0V 까지 올려 테스트 했으나 667MHz에서 테스트를 통과하지 못했다.

전압 오버를 하지 않고 DDR667Mhz로 셋팅시 통과한 제품과 전압 오버를 통해서 통과한 제품은 다시 2.0V의 전압을 주고 최대클럭을 측정해 보았는데, 아래와 같은 결과를 보여주었다. 가장 높은 클럭을 보여준 제품은 하이닉스 700MHz(350), 디지웍스 700MHz(350), Chaintech 690MHz(345), TwinMOS 680MHz(340) 순으로 나타났다.

2.0V 최대클럭
제품

삼성

하이닉스

디지웍스

Chaintech

PNY

TwinMOS

용량

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

동작클럭

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실266MHz)

레이턴시

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

4-4-4-12

최대클럭

570(285)

700(350))

700(350)

690(345)

560(280)

680(340)

마지막 테스트는 메모리타이밍을 4-4-4-12에서 5-5-5-15상태로 두고 메모리 전압을 2.0V에 둔 상태에서 최대 오버클럭 범위를 측정해 보았다. 결과는 아래의 표와 같이.나타났다.

가장 높은 클럭까지 오버된 제품은 하이닉스 제품이었으며, 두 번째로 높은 클럭을 보여준 제품은 디지웍스 제품과 TwinMOS 제품이었다. 세번째는 Chaintech 제품으로 마지막으로 700MHz(350)을 넘긴 제품이었다.

삼성과 PNY제품의 경우는 4-4-4-12 타이밍에서는 각각 570MHz(285)와 560MHz(280)까지만 사용이 가능했으나 5-5-5-15 타이밍으로 사용시는 680MHz(340)와 620MHz(310)까지 사용이 가능하였다.

5-5-5-15 메모리 타이밍 메모리 전압 2.0V시 최대 클럭 테스트.
제품

삼성

하이닉스

디지웍스

Chaintech

PNY

TwinMOS

용량

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

512MB x 2

동작클럭

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실 266MHz)

533MHz
(실266MHz)

레이턴시

5-5-5-15

5-5-5-15

5-5-5-15

5-5-5-15

5-5-5-15

5-5-5-15

최대클럭

680(340)

740(370)

720(360)

700(350)

620(310)

720(360)

모든 테스트를 마친 결과 하이닉스 제품의 오버클럭 능력이 가장 뛰어났으며, 디지웍스와 TwinMOS 제품이 그 뒤를 이었고, 근소한 차이로 Chaintech 제품이 그 다음을 차지 하였다. 각 테스트 결과를 보면 알 수 있듯이 각 타이밍 별과 전압의 상태에 따라서 제품의 순위가 바뀌는 것도 알 수 있었다.

 

앞서 이미 언급하였지만. 모든 반도체는 같은 생산공정을 통해서 나온 같은 제품이라 하여도 분명히 오버클럭 능력은 다르다. 즉 이번 테스트 결과가 각 제품의 절대적 오버클럭 수치는 아니라는 점을 반드시 인지하여야 할 것이다.

요즘 같이 DDR2 메모리 가격이 급속하게 상승 중인 이런 때 보다 저렴한 가격에 충분한 성능을 보여주는 제품으로 사용자들이 PC를 꾸미는데 작은 도움이 되었으면 한다.

[댓글이벤트] DDR2 PC4200(533MHz) 메모리를 드립니다.

이번 벤치마크를 통해서 1위를 차지한 하이닉스 그리고 6위를 차지한 PNY 메모리를 총 2분에게 각각 1GB(512MBx2)씩 총 2GB를 드립니다. 각 제품에 대한 의견이나 제조/유통사에 대한 의견을 댓글로 달아 주세요 .
선정이 되신 회원분은 반드시 DDR 5300(667MHz) 제품과 간단한 비교 사용기를 테크노아 사용기 란에 올려 주셔야 합니다. 참여 하고자 하시는 분들은 반드시 리플에 [참여] 라는 글을 적으신 후에  각 제품과 제조 유통사에 대한 의견을 달아 주시기 바랍니다.^^
많이 참가하셔서 상품도 받고 사용기도 적어보는 좋은 기회가 되었으면 합니다.


이벤트 기간 : 2006년 10월 10일 ~ 10월 16일
당첨자 발표 : 2006년 10월 16일 커뮤니티 내 이벤트 공지사항 게시판

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